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型号：STL80N3LLH6 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-Ch 30V 0.0046 Ohm 21A STripFET VI Deep...
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型号：STL8N65M5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-channel 650V 7A 0.56 Ohm MDmesh V...
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型号：STL8N80K5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 4.5 A Zener-protec...
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型号：STL80N75F6 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-Ch 75V 0.0051 Ohm 18A STripFET VI...
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型号：STL85N6F3 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-Ch 60V 0.005 Ohm 19A STripFET Switch...
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型号：STL8DN10LF3 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET Dual N-Ch 100V 7.8A 25mOhm STripFET III...
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型号：STL8N10LF3 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-Ch 100 V 25 mOhm 7.8 A STripFET III...
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型号：STL8DN6LF3 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET Dual N-Ch 60V 7.8A 22.5mOhm STripFETIII...
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型号：STL8NH3LL 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-CH 30V 8A PWRFLAT3.3SQ...
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型号：STL80N4LLF3 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-CH 40V 80A POWERFLAT6X5...
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型号：STL81005X 厂商：Siemens Semiconductor Group
描述：1550 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, Low Power...
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型号：STL81004A 厂商：Siemens Semiconductor Group
描述：1550 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, Low Power...
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型号：STL81004H 厂商：Siemens Semiconductor Group
描述：1550 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, Low Power...
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型号：STL81004X 厂商：Siemens Semiconductor Group
描述：1550 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, Low Power...
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型号：STL81005A 厂商：Siemens Semiconductor Group
描述：1550 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, Low Power...
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型号：STL81005H 厂商：Siemens Semiconductor Group
描述：1550 nm Laser in Coaxial Package with SM-Pigtail, Low Power...
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型号：STL81007G 厂商：Siemens Semiconductor Group
描述：1550 nm Laser in Receptacle Package, Low Power...
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型号：STL81007X 厂商：Siemens Semiconductor Group
描述：1550 nm Laser in Receptacle Package, Low Power...
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型号：STL80NF3LL 厂商：STMicroelectronics
描述：N-CHANNEL 30V - 0.0045ohm - 80A PowerFLAT(6X5) STripFET II MOSFET...
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型号： STL86N3LLH6AG 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：该器件是采用 stripfettmh6技术研制的 n 沟道功率 mosfet，具有一种新的沟道栅结构。这种功率 mosfet 在所有容器中都表现出非常低的 rd (on)。 aec-q101质量的非常低的通电阻非常低的栅极极高雪崩耐用度低栅极驱动功率损耗逻辑水平可湿性侧翼封装...
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