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型号：STL6N2VH5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-Ch 20 V 0.025 Ohm 6 A STripFET V...
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型号：STL6N3LLH6 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-Ch 30 V 0.021 Ohm 6 A STripFET VI DG...
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型号：STL60N32N3LL 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET Dual N-Ch 30V 15A pwr MOSFET...
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型号：STL60N3LLH5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-Ch 30V 0.006 Ohm 17A STripFET V Power...
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型号：STL65DN3LLH5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET Dual N-ch 30 V,19A STripFET V Pwr Mos...
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型号：STL60N10F7 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-CH 100V 0.013Ohm 12A VII DeepGate...
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型号：STL65N3LLH5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-CH 30 V PowerFLAT...
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型号：STL66N3LLH5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-Ch 30V 0.0048 Ohm 21A STripFET V...
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型号：STL66DN3LLH5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET Dual N-Ch 5.9mOhm 30V 20A STripFET V...
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型号：STL60NH3LL 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-CH 30V 16A PWRFLAT6X5...
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型号：STL6NM60N 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：MOSFET N-CH 600V 5.75A POWERFLAT...
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型号：STL6NK55Z 厂商：STMicroelectronics
描述：N-CHANNEL 550V - 1.2ohm- 5.2A PowerFLAT⑩ Zener-Protected SuperMESH⑩Power MOSFET...
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型号： STL66DN3LLH5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：这个器件是一个双 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfettmh 5技术开发。该设备已经优化，以实现非常低的通态电阻，有助于一个最好的 fom，其中在同类。设计用于汽车应用和 aec-q101限定逻辑级别 v gs (th)175 ° c 最大结温度可湿性侧面包装...
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型号： STL66N3LLH5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：这个器件是一个 n 沟道功率场效应晶体管，使用意法半导体的 stripfetTM h 5技术开发。该装置经过优化以实现非常低的通态电阻，从而使 fom 在同类产品中名列前茅。 aec-q101质量低通态电阻 r ds (on)高雪崩加固/低栅极驱动电源可损耗的侧翼封装...
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型号： STL6N2VH5 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：描述 该器件是使用意法半导体的STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFET。该器件经过优化，可实现非常低的导通电阻，从而使FOM成为同类产品中最好的。 所有功能 开关栅极电荷极低 极低的热阻 传导损耗减少 减少开关损耗 2.5 V栅极驱动 阈值极低的设备...
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型号： STL6N3LLH6 厂商：STMicroelectronics 分类：Semiconductors
描述：描述 该器件是采用STripFET™H6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。最终的功率MOSFET在所有封装中的R DS（on）都非常低。 所有功能 导通电阻很低 极低的栅极电荷 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗...
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