STL6N3LLH6
| 型号 | STL6N3LLH6 |
|---|---|
| 厂商 | STMicroelectronics |
| 分类 | 半导体 |
| 应用 | 晶体管 |
产品描述
描述 该器件是采用STripFET™H6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新的沟槽栅极结构。最终的功率MOSFET在所有封装中的R DS（on）都非常低。 所有功能 导通电阻很低 极低的栅极电荷 高雪崩强度 低栅极驱动功率损耗
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