STD96N3LLH6
| 型号 | STD96N3LLH6 |
|---|---|
| 厂商 | STMicroelectronics |
| 分类 | 半导体 |
| 应用 | 晶体管 |
产品描述
描述 该产品是一种N沟道功率MOSFET，它采用了ST专有的STripFET™技术的第六代设计规则，并具有新的栅极结构。在所有封装中，最终的功率MOSFET的R DS（on）最低。 所有功能 R DS（on） * Q g行业基准 极低的导通电阻R DS（on） 高雪崩强度 栅极驱动功率损耗低
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