CY7C1061DV18-15ZSXI
IC SRAM 16MBIT PAR 54TSOP II
CY7C1061DV18-15ZSXI 核心技术参数遥测
CY7C10*
| 器件型号 (MPN) | CY7C1061DV18-15ZSXI | 制造原厂 (Brand) | Infineon Technologies |
|---|---|---|---|
| 器件应用分类 | 存储器 | 封装外形规格 | 原厂标准封装 |
| 环保合规认证 | ✓ 符合 RoHS 环保指令 ✓ 无铅工艺 (Pb-Free) | 生命周期状态 | ● Active 在产量产 (推荐新设计) |
| 技术手册格式 | PDF 官方原版技术规格书 · 含引脚定义 | 同系列检索 | 检索 CY7C10* 同系型号 → |
CY7C1061DV18-15ZSXI 封装参数与 PCB 布局设计指南
封装规格：Standard IC Package · 硬件工程师投板注意事项
1. Pin 1 极性定位核查
绘制 PCB 丝印层（Silkscreen）时，必须在 Pin 1 引脚外侧添加明显的实心圆点或倒角标识。贴片打样前请务必与下方原厂 PDF 手册末页的 Package Outline 机械尺寸图进行 1:1 核对。
2. 电源引脚去耦电容就近布局
建议在 CY7C1061DV18-15ZSXI 的 VCC/VDD 电源引脚距焊盘 < 2.5mm 范围内就近布置 100nF (X7R) 与 10μF 陶瓷去耦电容，缩短回流地路径以有效抑制开关噪声。
3. 散热焊盘与接地过孔 (Thermal Vias)
若封装底部含裸露散热地焊盘（Exposed Pad），必须在对应焊盘区域打设 0.3mm 散热过孔阵列并连入内层 GND 平面；工业高温或满载工况下建议加宽铺铜以降低结温热阻。
4. 无铅回流焊温区与 MSL 湿敏等级
该型号符合 RoHS 无铅标准，SMT 回流焊接峰值温度建议控制在 260°C 以内；拆封后请遵照原厂 MSL 湿敏等级规范，在指定时效内完成贴片或放入防潮烘烤箱。
CY7C1061DV18-15ZSXI 原厂 Datasheet 数据手册与技术文档下载
CY7C1061DV18-15ZSXI 官方原版技术规格书 (PDF)
Infineon Technologies 原厂直供 · 涵盖引脚功能、内部电路、推荐外围与封装机械图
存储器 · CY7C1061DV18-15ZSXI Pin-to-Pin 兼容替代型号与选型比对
同功能跨品牌规格对照 · 兼容性评估 · 供应链降本与备选物料方案
| 替代型号 (MPN) / 原厂 | 封装规格 | 功能与电气特性简述 | 匹配度 | 技术手册 |
|---|---|---|---|---|
|
BR24G16FJ-5E2
Rohm Semiconductor
|
标准封装
|
16KBIT, I&SUP2 C BUS, LOW CURREN
|
✓ 同规格兼容 | |
|
CAS93C86BHU4I-GT3
onsemi
|
标准封装
|
16KB MICROWIRE SER EEPROM
|
⚑ 候选替代 | |
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CAT24C32BWI-KT3JN
onsemi
|
标准封装
|
32KB I2C SER EEPROM
|
✓ 同规格兼容 | |
|
24CS64-I/SN
Microchip Technology
|
标准封装
|
64K 3.4MHZ I2C SERIAL EEPROM, I-
|
⚑ 候选替代 | |
|
BR24G04FVT-5E2
Rohm Semiconductor
|
标准封装
|
4KBIT, IC BUS, LOW CURRENT CONSU
|
✓ 同规格兼容 | |
|
BR24H01FJ-5ACE2
Rohm Semiconductor
|
标准封装
|
1KBIT, IC BUS, HIGH SPEED WRITE
|
⚑ 候选替代 |
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