CBTU4411EE
| 型号 | CBTU4411EE |
|---|---|
| 厂商 | NXP Semiconductors |
| 分类 | 半导体 |
| 应用 | 逻辑 |
产品描述
使能（EN）和选择信号（S0，S1）兼容SSTL_18 优化用于双倍数据速率2（DDR2）SDRAM应用 适用于400 Mbit / s至800 Mbit / s，200 MHz至400 MHz DDR2数据总线 开关导通电阻旨在消除对DDR2 SDRAM的串联电阻的需要 12Ω导通电阻 受控的启用/禁用时间支持快速总线周转 伪差分选择输入支持精确且低偏斜的开关时间控制 Sn输入上的可选内置终端电阻 xDPn端口上的内部400下拉电阻 VBIAS输入可在禁用时实现最佳的DIMM端口下拉 可配置为在空闲时在通道10上拉至3/4 V DD时支持差分选通 低差分偏斜 匹配的上升/下降摆率 低串扰数据-数据/数据-DQM 通过2位编码输入简化了1：4开关位置控制 单输入引脚将所有总线开关置于OFF（高阻）位置 每个JESD78的闩锁保护超过500 mA ESD保护超过JESD22-A114的1500 V HBM和JESD22-C101的750 V CDM
