与其他多层电容器相比，其高频段的Q值较高。 主要用途 适用于要求高Q值和小型化的...
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更多 →功能概述 •驱动三相电机的功率级 •600V阻断电压IGBT •600W输出功率...
输出源/汇24 mA 特性 输出源/汇24 mA ACT20具有TTL兼容输入 ...
与其他多层电容器相比，其高频段的Q值较高。 主要用途 适用于要求高Q值和小型化的...
输入 3相 输入电压范围[AC] 432～528VAC 输入频率范围 47...
(v s = 5v，标准值，除非另有规定)供电电流(空载)3.6正交电流(关模)...
输入 3相 输入电压范围[AC] 180～254VAC 输入频率范围 4...
输入 3相 输入电压范围[AC] 432～528VAC 输入频率范围 4...
MP92265 是一款内置功率 MOSFET 的高频同步整流降压开关变换器。MP...
超低电源电流：850nA 低漂移 A 级：10ppm/ºC (最大值) B 级：...
MC74AC14/74ACT14 包含六个逻辑逆变器，可接收标准CMOS 输入信...
1A输出78系列稳压器表面贴装型 ROHM的3端子稳压器的输出电压固定，有5V，...
输出源/汇24 mA 特性 三态输出驱动总线或缓冲存储器地址寄存器 输出源/汇2...
输入 3相 输入电压范围[AC] 180～254VAC 输入频率范围 4...
3- 状态输出驱动器总线或缓冲区内存地址寄存器输出源/汇24 maact241具...
输出 source/sink 24 maact02具有 ttl 兼容的 inpu...
与其他多层电容器相比，其高频段的Q值较高。 主要用途 适用于要求高Q值和小型化的...
1A输出78系列调节器插入类型 ROHM的3端子稳压器的输出电压固定，有5V，6...
宽电源电压范围: 2901:2ー36vdcor ± 1ー ± 18vdcvery...
与其他多层电容器相比，其高频段的Q值较高。 主要用途 适用于要求高Q值和小型化的...
该器件是采用 stripfettmh6技术研制的 n 沟道功率 mosfet，具...
描述 该器件是采用STripFET™H6技术开发的N沟道功率MOSFET，具有新...
输出源/汇24 mA 特性 三态输出驱动总线或缓冲存储器地址寄存器 输出源/汇2...
描述 该器件是使用意法半导体的STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFE...
功能概述 •英飞凌的AURIXTM TC366采用LFBGA-180封装 •Fl...
输入 3相 输入电压范围[AC] 180～254VAC 输入频率范围 47...
同时多星座 -163 dBm跟踪灵敏度 1.5 m CEP位置精度 2.1 V至...
超低电源电流：850nA 低漂移 A 级：10ppm/ºC (最大值) B 级：...
描述 该器件是使用意法半导体的STripFET™V技术开发的N沟道功率MOSFE...
四路 2 输入 NAND 门极。高性能硅门极 CMOS。MC74HC00A 与 ...
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